发明 一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法 【特价】 仅包申请日之后年费 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件 1人 G06F30/20 G06F119/18
摘要：本发明公开了一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法。本发明利用硅原子的热扩散运动，基于相场和温度场研究硅基内部微结构的建模方法，建立起了硅基内腔稳定成型的计算模型，并通过改变外加热场，研究硅基内腔的成型变化机理，为微谐振腔制造的数值模拟提供了一条新的思路。
