发明 一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用
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H01L31/032 C01G19/00 B82Y40/00
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用，其中一维半导体纳米结构阵列是由规则排列的纳米线构成。本发明采用化学气相沉积和水热法相结合的方法合成一维半导体纳米结构阵列，制备过程中不需要使用催化剂和模板，制备方法简单，能够实现一维半导体纳米结构阵列的大面积、低成本制备。制得的纳米结构阵列具有较大的比表面积，对光的吸收较纳米薄膜有明显的增强；同时半导体纳米结构阵列组成元素含量丰富，无毒。本发明一维半导体纳米结构阵列在光伏领域应用时能够增大太阳能电池对光的吸收，降低太阳能电池成本，提高太阳能电池光电转换效率。
