发明 一种原位缺陷修饰Co9S8/多孔氮掺杂碳电极的制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
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H01M4/96 H01M4/88 H01M12/06
摘要：本发明提供一种原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，将钴盐、Tx‑100和苯胺等含碳有机物溶于挥发非水溶剂，并加入硫脲作为硫源，获得Co‑C‑S前躯液；上述前躯液涂布到碳基底上，干燥后先在Ar或N2气流中退火得到原位硫化钴‑碳电极，然后将原位硫化钴电极继续在双氰胺气流下CVD煅烧退火，最终形成原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极。本发明技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等多个优点，可用于OER和ORR的多功能电催化剂。
