发明 一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变 半导体 微电子薄膜 电阻存储器 内存硬盘 1人 H10N70/20
摘要：本发明公开了一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。该格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，用以有效地提高氧空位浓度，进而有效地提高电阻存储器的阻变性能，解决阻变器件参数的波动性问题。
