发明 一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法【优惠一千】 【不用公示】 【不用二次变更】
集成芯片 光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 1人
H01L31/105 H01L31/101 H01L31/0232 H01L31/18
摘要：本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区；第一吸收有源区中，第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接；第二吸收有源区中，第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接；其中，第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接；第一P++掺杂区上设置有第一金属电极，第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
