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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2021105640324 |
发明
一种基于电场控制 Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法 【特价】 仅包申请日之后年费
纳米针 纳米材料 1人 B81C1/00 B81B1/00 |
已下证 | ||||
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2021111856059 |
发明
一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用 【特价15】
光伏电池 太阳能电池 半导体材料 电池薄膜 纳米结构制备 光电器件 光电转换 传感器 薄膜沉积 纳米 1人 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L31/052 H01L31/18 H01L21/02 B81B1/00 B81C1/00 B82Y30/00 B82Y40/00 |
授权未下证 |
